那个探测器的手持式光谱仪比较好

2020-05-13 17:22:27 sciaps

    大多数PIN探测器是用硅做的,所以如果不特别指出,PIN探测器指的就是Si-PIN或者硅PIN探测器还有SDD硅漂移探测器。

    手持式合金分析仪的探测器主要有SI-PIN探测器和SDD硅漂移探测器两者在实际应用中有很大区别,下面具体说说这两款探测器:

SI-PIN手持式光谱仪

SI-PIN探测器:

    SI-PIN是半导体器件的许多种结构之一,是由一层P型半导体(受主杂质为主导,带正电荷的空穴是多数载流子)和一层N型半导体(施主杂质为主导,带负电荷的电子是多数载流子)以及它们中间的一层本征半导体即没有杂质或者施主杂质和受主杂质正好完全补偿的半导体]或者绝缘体层组成的结构。 SI-PIN探测器是具有PIN结构的(其中间层实际上是高阻的全耗尽层,其载流子很少,与本征层和绝缘体层有类似之处)用于探测光和射线的探测器件。硅-PIN探测器室温下的漏电流在纳安(nA)数量级,比其上一代的硅面垒探测器要小差不多3个数量级,是硅面垒探测器的换代产品,但是PIN探测器的电容仍然和面垒探测器一样,随探测器面积的增大而正比增大,这导致探测器噪声还是偏大,同时成形时间常数不能太小因而计数率不能高。这就是PIN探测器不仅在技术上而且在性能上也要比硅漂移探测器差整整一代的原因。

SDD硅漂移探测器:

    SDD硅漂移探测器是在高纯n型硅片的射线入射面制备一大面积均匀的pn突变结,在另外一面的中央制备一个点状的n型阳极,在阳极的周围是许多同心的p型漂移电极。在工作时,器件两面的pn结加上反向电压,从而在器件体内产生一个势阱(对电子)。在漂移电极上加一个电位差会在器件内产生一横向电场,它将使势阱弯曲从而迫使入射辐射产生的信号电子在电场作用下先向阳极漂移,到达阳极(读出电极)附近才产生信号。硅漂移探测器的阳极很小因而电容很小,同时它的漏电流也很小,所以用电荷灵敏前置放大器可低噪声、快速地读出电子信号。

    SDD硅漂移探测器的结构要比以前的半导体探测器复杂许多,对设备要求更高,制造难度也很大。但是硅漂移探测器的性能极为优异,不仅探测器的漏电流比硅面垒探测器要小差不多3个数量级,探测器的电容也要比Si-PIN和硅面垒探测器小2个数量级左右,所以噪声很低,并且可以快速地读出电子信号,是探测光、X射线和带电粒子的最佳选择,其能量分辨本领和高计数率性能是所有半导体探测器中最好的,最好的能量分辨已经达到127eV,远远好于Si-PIN探测器,也明显好于传统的硅(锂)[Si(Li)]探测器,能谱采集的速度也比一般硅(锂)探测器快5-10倍,而且不需要液氮,是硅PIN探测器和硅(锂)探测器的换代产品。


手持式光谱仪中探测器SI-PIN和SDD探测器那种好?

    SI-PIN探测器相对属于经济型探测器应用到手持式光谱仪中的品牌比较多:尼通,奥林巴斯-伊诺思,日立,布鲁克,赛普司,斯派克等等经济型手持式光谱仪都有配置,检测元素范围TI-U之间的元素完全适用。

    SDD硅漂移探测器价格相对较高,每家品牌都有应用,检测范围比较广MG-U其中包含了SI-PIN所能检测的元素。


首页
产品
联系