残余奥氏体形成机理以及含量测定

2020-07-17 11:41:04 sciaps

残余奥氏体含量检测仪

奥氏体形成机理:
    共析钢奥氏体冷却到临界点A1以下温度时,存在共析反应:A---F+Fe3C。加热时发生共析反应:F+Fe3C----A。逆共析转变是高温下进行的扩散性相变,转变的全过程可以分为四个阶段,即:奥氏体形核,奥氏体晶核长大,剩余渗碳体溶解,奥氏体成分相对均匀化。各种钢的奥氏体形核形成过程有一些区别,亚共析钢,过共析钢,合金钢的奥氏体化过程中除了奥氏体形成的基本过程外,还有先共析相的溶解,合金碳化物的溶解等过程。

奥氏体形成的热力学条件:必须存在过冷度或过热度∆T。

奥氏体形核:
    奥氏体的形核位置通常在铁素体和渗碳体两相界面上,此外,珠光体领域的边界,铁素体嵌镶块边界都可以成为奥氏体的形核地点。奥氏体的形成是不均匀形核,复合固态相变的一般规律。

    一般认为奥氏体在铁素体和渗碳体交界面上形核。这是由于铁素体碳含量极低(0.02%以下),而渗碳体的碳含量又很高(6.67%),奥氏体的碳含量介于两者之间。在相界面上碳原子有吸附,含量较高,界面扩散速度又较快,容易形成较大的浓度涨落,使相界面某一区域达到形成奥氏体晶核所需的碳含量;此外在界面上能量也较高,容易造成能量涨落,以便满足形核功的要求;在两相界面处原子排列不规则,容易满足结构涨落的要求。所有涨落在相界面处的优势,造成奥氏体晶核较容易在此处形成。

X射线残余奥氏体含量检测仪如何检测残余奥氏体含量

    X射线照射铁素体和奥氏体时都会产生衍射,其衍射峰的强度与各相体积分数成正比,因此残余奥氏体含量检测仪通过各衍射峰的强度对比可以分析计算出残余奥氏体的百分含量。

 

残余奥氏体含量检测仪

    U-X360S残余奥氏体含量检测仪自动测量残余奥氏体含量,精度优于1%。相比较于传统的金相法等手段,具有无损、快速和精确等特性。μ-x360s可同时得到奥氏体相和非奥氏体相的 德拜环,通过计算两个德拜环的衍射强度实现 残余奥氏体含量分析功能。

 


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